Type: | Piezoresistive Pressure Sensor |
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Component: | SemiConductor Type |
For: | Diffused Silicon Pressure Transmitter |
Output Signal Type: | Analog Type |
Production Process: | Integration |
Material: | Stainless Steel |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Parâmetros de desempenho: | |||||
Intervalo de medição | Indicador (G) | 10 kPa, 20 kPa, 35 kPa, 100 kPa, 200 kPa, 350 kPa, 1000 kPa, 2000 kPa | |||
Absoluto (A) | 100KPaA, 200KPaA, 350KPaA, 700KPaA, 1000KPaA, 2000KPaA | ||||
Típ | Máx | Unidade | |||
Linearidade | ± 0.15 | ± 0.3 | %F.S | ||
Repetibilidade | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
Histerese | 0.05 | 0.1 | %F.S | ||
Saída de desvio zero | 0 ± 1 | 0 ± 2 | MV | ||
Saída em escala total | ≤ 20 kPa | 50 ± 10 | 50 ± 30 | MV | |
≥ 35 kPa | 100 ± 10 | 100 ± 30 | MV | ||
Temp. Desvio zero Desvio | ≤ 20 kPa | ± 1 | ± 2 | %F.S | |
≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | %F.S | ||
Temp. Escala total Desvio | ≤ 20 kPa | ± 1 | ± 2 | %F.S | |
≥ 35 kPa | ± 0.5 | ± 1 | %F.S | ||
Temp. Compensada | ≤ 20 kPa | 0~50 | ºC | ||
≥ 35 kPa | 0~70 | ºC | |||
Temperatura de funcionamento | -20~80 | ºC | |||
Temperatura de armazenamento | -40~125 | ºC | |||
Sobrecarga permitida | Tome o valor menor entre 3 vezes a escala total Ou 4 MPa | ||||
Pressão de rebentamento | 5X a escala total | ||||
Estabilidade a longo prazo | 0.2% | F. S/ano | |||
Material do diafragma | 316L | ||||
Resistência de isolamento | ≥ 200MΩ 100 VCC | ||||
Vibração | Sem alterações em condições de 10 GRMS, 20 Hz a 2000 Hz | ||||
Choque | 100 g, 11 ms | ||||
Tempo de resposta | ≤ 1 ms | ||||
Peso | ~ 12,5g | ||||
Os parâmetros são testados nas seguintes condições: Corrente constante de 1,5 mA e temperatura ambiente de 25 ° C |
Construção do esboço | |
Ligação eléctrica e compensação |
Exemplos de seleção |
Dicas para encomenda |
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